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  • IR2104STRPBF
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  • SOP8
  • IR2104STRPBF Infineon IR2104STRPBF 双 非反相 半桥 MOSFET 功率驱动器, 360mA, 10 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装 产品详细信息 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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  • IR2130STRPBF
  • IR
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  • 18+
  • SOP28
  • 标准包装:1,000类别:集成电路 (IC)家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关系列:-配置:3 相桥输入类型:反相延迟时间:675ns电流 - 峰:200mA配置数:1输出数:3高端电压 - 最大(自引导启动):600V电源电压:10 V ~ 20 V工作温度:-40°C ~ 125°C安装类型:表面贴装封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)供应商设备封装:28-SOIC W包装:带卷 (TR)
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  • IRF7424TRPBF
  • IR
  • 15000
  • 18+
  • SOP8
  • 大小:4KB厂家:描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC标准包装:4,000类别:分离式半导体产品家庭:FET - 单系列:HEXFET?FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13.5 毫欧 @ 11A,10VId 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250μA闸电荷(Qg) @ Vgs:110nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds:4030pF @ 25V功率 - 最大:2.5W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装:8-SO包装:带卷 (TR)
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  • IAC5Q
  • Crydom
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  • 17+
  • SMD
  • 机电产品>I/O模块
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